電荷泵常見的應(yīng)用是RS-232信號轉(zhuǎn)換IC,可以從單一的5V或3V電源供應(yīng)器產(chǎn)生正負電壓(多半是+10V及-10V)。
電荷泵也可以用在LCD或是白光LED的驅(qū)動電路,從單一電源(例如電池)產(chǎn)生高偏壓的電壓。
電荷泵廣泛應(yīng)用在NMOS的內(nèi)存及微處理器中,用來產(chǎn)生連接到IC基層(Substrate)的負電壓VBB(約-3V)。這可以確保N+至基層的結(jié)點(junction)都有3V甚至更高的逆向偏壓,可以降低結(jié)點電容,并且提升電路的速度。
到2007年為止,幾乎所有的EEPROM及快閃存儲器(flash memory)都已整合了電荷泵電路。這類的芯片在記憶單元寫入新的值前,需要用高電壓的脈沖先清除該區(qū)塊已有的資料。早期的EEPROM及快閃存儲器需要二種電源:用來讀取資料的+5V以及用來清除資料的+12V。截至2007年,市面上可購得的EEPROM及快閃存儲器都只需要一組電源,多半是1.8V或3.3V。而清除記憶區(qū)塊需要的高電壓則由芯片中的電荷泵自行產(chǎn)生。
在由n通道的功率MOSFET或絕緣柵雙極晶體管(IGBT)組成的H橋電路中,電荷泵也用在H橋high side功率元件的柵極驅(qū)動器上。當(dāng)H橋其中一只中心點為低電壓時,會經(jīng)由二極管向電容器充電,之后充電的電荷會來讓high side的柵極比電源電壓高一些,好讓功率元件導(dǎo)通。假設(shè)H橋正常切換的情形下,上述的作法可以正常工作,免去了另一個獨立的電源供應(yīng)器,也讓開關(guān)可以使用效率更好的n通道元件。這種電路(需要周期切換high side功率元件)也稱為bootstrap電路,有時也和電荷泵電路會有些差異。
電荷泵(charge pump)是一種直流-直流轉(zhuǎn)換器,利用電容器為儲能元件,多半用來產(chǎn)生比輸入電壓大的輸出電壓,或是產(chǎn)生負的輸出電壓。電荷泵電路的電效率很高,約為90-95%,而電路也相當(dāng)?shù)暮唵巍?/div>
電荷泵利用一些開關(guān)元件來控制連接到電容器的電壓。例如,可以配合二階段的循環(huán),用較低的輸入電壓產(chǎn)生較高的脈沖電壓輸出。在循環(huán)的第一階段,電容器連接到電源端,因此充電到和電源相同的電壓,在第一階段會調(diào)整電路組態(tài),使電容和電源電壓串聯(lián)。若不考慮漏電流的效應(yīng),也假設(shè)沒有負載,其輸出電壓會是輸入電壓的兩倍(原始的電源電壓加上電容器兩端的電壓)。較高輸出電壓的脈沖特性可以用輸出的濾波電容器來濾波。
電荷泵的電容CP先由電源充電,之后電容CP和電源串聯(lián),和輸出電容CO充電,因此CO最后會充到電源的二倍?赡苄枰獛讉周期才能將CO充飽,但若到達穩(wěn)態(tài),CP只需要提供很少的電荷,相當(dāng)于CO提供給負載需要的電荷。當(dāng)CO切離電容CP時,CO會對負壓放電,因此輸出電壓會有漣波,若時脈較快,充電時間較短,漣波也會變小,也比較容易濾除。而且對應(yīng)相同的鏈波規(guī)格,可以選用較小的電容器。
會有其他的電路來控制開關(guān)的定期切換,一般切換頻率會是數(shù)十kHz到數(shù)MHz,切換頻率高可以減少所需的電容器,讓較短時間內(nèi)需要儲存的電荷也比較小。電荷泵中用的電容器一般會稱為飛電容(flying capacitor)。
另一種思考的方式是將電荷泵視為是多倍壓器及直流-交流轉(zhuǎn)換器(開關(guān))的組合。
電荷泵的輸出電壓會和負載有關(guān),若負載越大,其平均電壓也會越低。
電荷泵依控制方式及電路架構(gòu)的不同,可以進行倍壓、三倍壓、電壓反相、電壓乘以一分?jǐn)?shù)(例如×3/2, ×4/3, ×2/3等),也可以在不同模式中快速切換,產(chǎn)生任意大小的電壓。
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